EQS-News: Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON (deutsch)
Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON
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EQS-Media / 23.04.2024 / 07:30 CET/CEST
Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON
Herzogenrath, 23. April 2024 - Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat
sich für die G10-SiC von AIXTRON (FSE: AIXA) entschieden, um die eigenen
Kapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementen
hochzufahren. Die Lösung von AIXTRON wird künftig in Vishays
automotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales zum Einsatz kommen. Die
flexible Konfiguration der G10-SiC mit 9x150 mm oder 6x200 mm Wafern
unterstützt den einfachen Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern.
Vishay ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern
und passiven elektronischen Komponenten. Diese Bauteile kommen in den
Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Konsumgüter, Telekommunikation,
Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizintechnik in allen Arten von
elektronischen Geräten und Systemen zum Einsatz.
"Die neue G10-SiC Epi-Produktionsanlage für die 200 mm Epitaxie ermöglicht
eine hervorragende Kostenstruktur, die den Produktivitätszielen von Vishay
entspricht. Dies in Kombination mit einer exzellenten Gleichförmigkeit über
den gesamten 200-mm-Waferdurchmesser hinweg hat uns dazu veranlasst,
AIXTRON-Technologie zu wählen. Das AIXTRON-Team hat eine einzigartige Lösung
für präzise Kontrolle von Dotierstoffen und Schichtdicken auf 200 mm
SiC-Wafern entwickelt. Diese Leistung wird über die gesamte 6x200
mm-Wafercharge mit einer beeindruckenden Run-to-Run-Stabilität
gewährleistet", sagte Danilo Crippa, Senior Director R&D für
SiC-Entwicklung, Vishay Intertechnology, Inc.
"Wir freuen uns über die Gelegenheit, eng mit Vishay zusammenzuarbeiten und
unser hochmodernes Epi-Produktionssystem mit flexibler 150 und 200
mm-SiC-Waferkonfiguration für Vishays automotive-zertifizierte Fabrik in
Newport (Südwales) zu liefern. Unser starkes Kundenservice-Team im South
Wales Compound Semiconductor Cluster unterstützt Vishay dabei, die
SiC-Inhouse-Epitaxie in kürzester Zeit auf höchste Produktivität zu
bringen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC, AIXTRON SE.
Seit ihrer Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONs
G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200
mm-SiC-Epitaxie entwickelt. Dank der neuesten technologischen Fortschritte
bietet die Anlage erstklassige Uniformität in Kombination mit dem höchsten
Wafer-Durchsatz pro m² Reinraumfläche auf dem Markt. Damit ermöglicht sie
die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen zu den niedrigsten
Betriebskosten. Uniformität und Produktivität sind ausschlaggebend für die
Produktionsausbeute und -kosten und damit entsprechend für die
Elektrifizierung der Automobilbranche und weiterer Industriemärkte.
Ansprechpartner
Medien:
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com
Investoren:
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Director Investor Relations (interim)
fon +49 (2407) 9030-8815
e-mail c.werle.sc@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen
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