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Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation
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EQS-Media / 20.11.2025 / 07:30 CET/CEST
Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von
Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation
Herzogenrath, 20. November 2025 - Die Ohio State University (OSU) hat ein
Close Coupled Showerhead® (CCS)-System für die metallorganische chemische
Gasphasenabscheidung (MOCVD) von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das System
wird für die fortschrittliche Epitaxie von Galliumoxid (GaO) und
Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) zur Material- und Geräteentwicklung auf 100
mm-Substraten eingesetzt. Dieses hochmoderne MOCVD-System trägt dazu bei,
die Entwicklung von Bauelementen bestehend aus Halbleitern mit breiter oder
ultrabreiter Bandlücke zu revolutionieren.
Das CCS-MOCVD-System von AIXTRON ist für seine Zuverlässigkeit und
Leistungsfähigkeit bekannt und ermöglicht die Abscheidung hochwertiger,
homogener Dünnschichten für eine breite Palette von Verbundwerkstoffen.
Galliumoxid und seine Legierungen zeichnen sich durch überlegene
Eigenschaften bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen im
Vergleich zu konventionellen Halbleitermaterialien aus. Das neue System wird
es den Forschenden der OSU ermöglichen, die Eigenschaften dieser Materialien
zu erforschen, neuartige Bauelementarchitekturen zu entwickeln und die
Grenzen der Halbleitertechnologie zu erweitern.
"Wir haben bereits sehr gute Erfahrungen mit AIXTRON-CCS-Reaktoren für GaAs-
und InP-Materialien gemacht. Ihre Reaktoren sind weltweit bekannt für ihre
exzellente Gleichmäßigkeit, hohe Materialqualität und große Prozessfenster.
AIXTRON hat dies nun auch für Galliumoxid (GaO) und Aluminiumgalliumoxid
(AlGaO) gezeigt, und wir freuen uns auf die Zusammenarbeit bei der
Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit diesem System",
sagte Professor Steven A. Ringel, Associate Vice President for Research der
Ohio State University und Direktor des Institute for Materials and
Manufacturing Research (IMR). Er fügte hinzu: "Wir schätzen insbesondere die
Skalierbarkeit der Plattform sowie die Möglichkeit, Wafer mit einem
Durchmesser von bis zu 4 Zoll zu verarbeiten. Wir freuen uns darauf,
gemeinsam mit AIXTRON den nächsten Schritt zu gehen."
Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE, kommentierte: "Wir freuen uns sehr,
unsere Partnerschaft mit der OSU und den angesehenen Professoren Hongping
Zhao, Siddharth Rajan und Steven Ringel bekannt zu geben. Unsere
CCS-MOCVD-Anlagen haben durchweg eine herausragende Leistung in der
Unterstützung von Spitzenforschung und in der nahtlosen Skalierung hin zu
Tier-1-Industrieanwendungen gezeigt. Besonders begeistert sind wir von den
vielversprechenden Fortschritten in der Galliumoxid-Technologie, die die
nächste Generation von Leistungsbauelementen einläuten. Diese Zusammenarbeit
unterstreicht unser Engagement für die Förderung von Innovation sowie die
Weiterentwicklung von Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie."
Der für GaO-Prozesse ausgelegte MOCVD-Reaktor wird im Nanotech West Lab
installiert, einer 3.500 m² großen Shared-User-Facility für die
Materialforschungsgemeinschaft der Ohio State University. Das Labor wird vom
Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR) betrieben, einem
multidisziplinären Institut, das Infrastruktur, Entwicklung und Betrieb
zentraler Forschungseinrichtungen an der Ohio State University verantwortet.
Ansprechpartner
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com
Über die Ohio State University
Die Ohio State University in Columbus, Ohio, ist bekannt für ihre starken
akademischen Programme, ihre Spitzenforschung und ihr pulsierendes
Campusleben. Als eine der größten Universitäten der Vereinigten Staaten
spielt sie eine zentrale Rolle in den Bereichen Innovation, Bildung und
gesellschaftliches Engagement in einer Vielzahl von Disziplinen.
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
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