EQS-News: AIXTRON liefert G10-AsP für die nächste Generation von Photoniklösungen an Nokia (deutsch)

AIXTRON liefert G10-AsP für die nächste Generation von Photoniklösungen an Nokia

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EQS-Media / 01.04.2025 / 07:30 CET/CEST

Herzogenrath, 1. April 2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert seine
G10-AsP-Anlage an Nokia. Mit der G10-AsP kann Nokia 6-Zoll-Wafer mit
Indiumphosphid (InP) herstellen, was einen bedeutenden Meilenstein in der
Entwicklung von Photonic Integrated Circuits (PICs) darstellt.

Photonisch integrierte Schaltkreise (engl. Photonic Integrated Circuits,
kurz PICs) sind für die heutigen Megatrends wie
Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation, 5G, Sensorik und KI unerlässlich.
Der globale Markt für PICs wird in den nächsten Jahren erwartungsgemäß
erheblich wachsen: Der Markt, der im Jahr 2023 auf rund 12 Mrd. USD
geschätzt wurde, wird bis 2031 voraussichtlich 41 Mrd. USD erreichen, was
einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von etwa 16 %
entspricht. [1]

Seit der Einführung der ersten großformatigen integrierten photonischen
Schaltkreise ist Nokia mit seiner PIC-basierten kohärenten optischen
Technologie branchenführend und liefert kontinuierlich bessere Lösungen.
Durch die Nutzung von leistungsstarkem Indiumphosphid (InP) integrieren die
PICs von Nokia eine Vielzahl optischer Funktionen auf einem einzigen Chip,
wodurch Kosten, Platzbedarf und Stromverbrauch reduziert werden, während
Leistung und Zuverlässigkeit verbessert werden.

AIXTRONs G10-AsP-Anlage zeichnet sich durch ein präzises und gleichmäßiges
Prozessverhalten aus, die PICs im Gegensatz zu herkömmlichen Transceivern
benötigen. Dies konnte insbesondere auf 6-Zoll-InP-Wafern gezeigt werden.
Dank eines innovativen Injektordesigns und einer fortschrittlichen
Temperaturregelung bietet die Anlage eine bis zu viermal bessere
Gleichmäßigkeit auf dem Wafer für kritische Schichten im Vergleich zur
vorherigen Anlagengeneration. In Kombination mit dem In-Situ-Cleaning können
diese neuen Homogenitätsniveaus konsistent reproduziert werden, ohne dass
ein regelmäßiger Austausch der Hardware oder eine Kalibrierung zwischen den
verschiedenen Wachstumsschritten der komplexen Schaltungen erforderlich
sind. Die automatisierte Waferbeladung durch das Cassette-to-Cassette (C2C)
Wafer Handling gewährleistet eine besonders effiziente Bedienung der
MOCVD-Anlage.

"Wir freuen uns, mit unserer G10-AsP-Anlage Nokias kontinuierliche
Innovationen im PIC-Bereich zu unterstützen. Die Möglichkeit,
6-Zoll-InP-Wafer zu produzieren, wird die Produktions- und
Technologiekapazitäten von Nokia deutlich verbessern und die Einführung
optischer Technologien der nächsten Generation vorantreiben", sagte Dr.
Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE.

Steve Stockman, Leiter von Nokias InP-basierter PIC-Produktion, fügte hinzu:
"Der Erwerb von AIXTRONs hochmoderner G10-AsP ist eine strategische
Investition in unsere Produktionskapazitäten. Mit dieser fortschrittlichen
Technologie können wir die wachsende Nachfrage nach hochleistungsfähigen
photonisch integrierten Schaltkreisen bedienen und unsere Führungsposition
in der Branche ausbauen."

Der Übergang zu 6-Zoll-InP-Wafern stellt einen bedeutenden Fortschritt für
die Branche der photonischen integrierten Schaltkreise dar. Größere
Waferdurchmesser ermöglichen höhere Produktionsvolumina und geringere
Stückkosten bei gleichzeitigem Zugang zu modernster Fertigungstechnologie.
Diese Entwicklung ist besonders wichtig für stark nachgefragte Sektoren wie
Telekommunikation, die Automobilindustrie und Rechenzentren, in denen die
Datenübertragung mit hohen Frequenzen und hoher Bandbreite entscheidend ist.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.

[1] Laut eines Berichts von Market and Data.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

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